本文的主旨是啟發(fā)讀者去考慮電子芯片集成度提高對終測或生產(chǎn)測試的影響。特別的，射頻(RF)芯片測試方法的主要轉移變得越來(lái)越可行。一些關(guān)于生產(chǎn)測試的關(guān)鍵項目將在這里進(jìn)行討論。它們是：系統級測試：RF晶園探針測試；SIP相對SOC的架構；設計人員的新的責任：RF內置自檢(BIST);對于測試系統構架的影響。  

   系統級測試  

   現代高集成度的芯片有著(zhù)“射頻到比特流”(“RF-to-bits”)或“射頻到模擬基帶”的構架。射頻部分集成度提高帶來(lái)*大的沖擊之一是測試模式的轉移，即使得系統級的測試成為可能。系統級測試有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)，*大的優(yōu)點(diǎn)是可以減少測試時(shí)間，*大的缺點(diǎn)是它目前并沒(méi)有被業(yè)界廣泛接受。而且，這是一個(gè)非常有爭議的題目。系統級測試基本上是根據被測件(DUT)將要使用的功能進(jìn)行測試。它非常類(lèi)似在數字調制中的通過(guò)／不一通過(guò)(go／no-go)測試，如比特誤碼率(BER)和矢量誤差幅度(EVM)測試。這種測試通過(guò)使用帶有數字調制信息的信號來(lái)模擬無(wú)線(xiàn)芯片在天線(xiàn)端接收的信號或有線(xiàn)RF芯片的輸入信號宋達到測試目的。  

   傳統上，連續波(CW)，單音或雙音(Two tone)信號被廣泛用來(lái)進(jìn)行RF測試。這些測試方法被使用是因為簡(jiǎn)單獨立的RF芯片結構(如RF輸入和RF輸出)。由于這些獨立的結構被整合，那么*終的芯片結構將變得擁擠和復雜。一些反對系統級測試者認為人們在R&D階段無(wú)法花費足夠的時(shí)間去考慮是否所有的測試能夠*抓出芯片中所有出問(wèn)題的部分。為了解決這個(gè)問(wèn)題，同時(shí)*盡量少的測試時(shí)間，目前所有的這些系統級測試把傳統的功能測試(Functional Testing)加入進(jìn)來(lái)作為補充。當產(chǎn)品成熟或設計和制造者的信心增加時(shí)，這些功能測試的數量可以逐漸減少。  

   另外一個(gè)針對生產(chǎn)測試的方法是在*測試系統級芯片中做一些折衷[1]。那就是，把系統級測試(如BER和EVM)測試作為正常的生產(chǎn)測試計劃，但是同時(shí)周期性的加入特性測試(Characterization Test)計劃，如每100個(gè)DUT一次。這樣就在*有效的生產(chǎn)測試的同時(shí)也能給設計和制造工程師反饋回有用的信息。采用這種方法，有效的測試時(shí)間可以定義為:  

   例如，如果生產(chǎn)測試訃劃的執行時(shí)間為2．0s并且每50個(gè)DUT(N=50)執行一次為期60s的特性測試，那么有效的測試時(shí)間為3．16s。當產(chǎn)品成熟和需要更少的反饋信息時(shí)，就可以通過(guò)增加N來(lái)降低有效的測試時(shí)間。如果N增加到200，那么有效的測試時(shí)間就變?yōu)?．29s。  

   射頻晶片探針測試  

   傳統上，尤其在RF測試領(lǐng)域，晶片探針測試通常*后會(huì )被封裝測試代替，這是因為早期的晶片探針和晶片探針接口的設計難于處理在RF頻段上接口之間產(chǎn)生的寄生電容和電感問(wèn)題，噪聲的處理同樣也是一個(gè)大的問(wèn)題，然而，隨著(zhù)SIP(System-in-a-package)的出現使封裝更復雜和相應的封裝成本上升，以及直接銷(xiāo)售KGD(Know-good-die)，這些改變使得晶片探針測試很有必要。而且，由于不同功能的晶粒(die)組合在一個(gè)封裝里，舉一個(gè)*壞的情況，一個(gè)良率低的便宜的晶?？赡軗p害整個(gè)封裝，使得價(jià)格昂貴的晶粒(加上封裝)都沒(méi)用。這些需求驅動(dòng)著(zhù)RF晶片探針測試技術(shù)前進(jìn)。  

   SIP的概念同樣進(jìn)入整合的范疇。對于SIP，測試可以在封裝后進(jìn)行，也可以在各個(gè)部分整合之前晶片階段進(jìn)行。通常，在大部分封裝測試前，各個(gè)組成的晶粒需要單獨進(jìn)行探針測試，對于RF芯片，現在晶片級必須進(jìn)行測試，但是在過(guò)去對于RF芯片這些測試是盡量避免的。結果就是，KGD使得RF芯片的晶片探針測試逐漸成為主流。  

   SIP與SOC  

   SOC的正式定義是在單一芯片上構建一個(gè)系統，然而，*近引入了多個(gè)晶粒在一個(gè)封裝中，即SIP技術(shù)已經(jīng)發(fā)展起來(lái)了。在SOC芯片中，核(Core)是在硅片級被整合的。在SIP中，同樣的整合是在封裝級發(fā)生的。隨著(zhù)SIP的出現，不同的IP(Intellectual Property)可以用在同一個(gè)封裝內。實(shí)際上，在某些情況下，不同廠(chǎng)家的晶粒(die)也可以在一起使用。講到這里我們必須引入一個(gè)“內核”的術(shù)語(yǔ)，所謂內核是指一個(gè)功能模塊、電路模塊或單獨的IP。內核這個(gè)術(shù)語(yǔ)在傳統的SOC芯片設計和測試領(lǐng)域已經(jīng)使用很多年了，這個(gè)概念對于RF測試工程師來(lái)說(shuō)有一點(diǎn)新，這主要是因為只是在*近獨立的RF芯片功能模塊(如低噪聲放大器，混頻器等)才與數字或模擬功能模塊放到同一個(gè)晶粒(die)中。RF內核放到SOC或SIP中這兩種集成方法的主要不同是各自相應帶來(lái)的成本好處，這些好處可以分別通過(guò)其內部使用核的函數表達，這兩種集成方式的不同包括：其內核預期的良率和產(chǎn)品封裝的成本。就像決定是去測試各個(gè)單獨內核還是測試整個(gè)SIP，這也是各個(gè)獨立內核良率的函數?？紤]到這里，SIP的整體良率就變成下式：  

YSiP=Ycore1×Ycore2×…×YcoreN  

   因此，可以非常明顯的看到，在一個(gè)SIP中有越多的核，SIP的整體良率越依賴(lài)于其封裝中各個(gè)單獨核的良率。而且，只要有一個(gè)良率不好的核就會(huì )導致許多其它好的核和整個(gè)封裝報廢。然而，從正面來(lái)看，如果制造過(guò)程得到了很好的控制并且良率很高，等到所有的晶粒被封裝成SIP時(shí)，那么測試的成本就會(huì )有非常大的減少，尤其當系統級的測試得以實(shí)現時(shí)。  

   設計工程師的新責任  

   在傳統的數字測試領(lǐng)域，終測的算法通常是由芯片的設計人員提供的，而且經(jīng)常把這些算法寫(xiě)入芯片中。通常，設計人員和測試工程師在整個(gè)產(chǎn)品的生命周期中都不會(huì )有合作機會(huì )。然而，隨著(zhù)芯片集成度的提高，很多事情都發(fā)生了改變，如設計人員和測試工程師就必須共同工作解決測試問(wèn)題。例如，在RF領(lǐng)域，設計人員必須打破成規努力向前看，為新的生產(chǎn)測試方法規劃策略和芯片架構。對于RF 、SOC和SIP，除了要考慮成本和管理的問(wèn)題，還有一些其它的因素需要考慮。它們是：  

   (1)如何利用RF內核的工程設計和分析工具(EDA)去處理測試成本問(wèn)題。  

   (2)沒(méi)計人員和測試工程師如何積極配合去創(chuàng )建一個(gè)具有成本優(yōu)勢的可測性設計(DFT)架構。  

   (3)如何與測試開(kāi)發(fā)團隊合作爭取更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。  

   數字內核(Core)測試可以使用功能測試或結構測試的方法達到。在過(guò)去的幾年中，在降低測試成本方面，EDA公司取得主要大的進(jìn)步是在其工具中引入測試程序產(chǎn)生數據壓縮和診斷能力。這些能力可以加速產(chǎn)品面市的時(shí)間，降低測試時(shí)間，利用低成本的測試機臺，EDA公司在數字領(lǐng)域和模擬領(lǐng)域的內置自檢技術(shù)(BIST)的競爭優(yōu)勢顯著(zhù)增加。但是，估計這樣一個(gè)優(yōu)勢在RFBIST架構普遍應用之后的一段時(shí)間內就會(huì )消失，這就意味著(zhù)RF內核可能成為SOC或SIP芯片中測試成本*高的部分。當前只有ATE公司在集成的RF內核方面可以提供一些形式的成本降低，另外并行測試的執行需要ATE機臺的支持，并行測試是在芯片級進(jìn)行的，它利用了SOC和SIP芯片內核整合的優(yōu)點(diǎn)，把多顆芯片(Multi-site)并行測試的概念擴展到同一芯片的多內核(Muti-core)測試中，并行測試需要內核可以獨立的訪(fǎng)問(wèn)和控制，這種獨立性是可以由SIP芯片的RF內核物理隔離或SOC芯片在設計階段使IP內核物理隔離達到。在SOC和SIP中，當RF內核可以單獨測試或與其它內核并行測試時(shí)，它可以與其它測試時(shí)間相當的內核共享同樣測試時(shí)間，從而降低整個(gè)測試時(shí)間。并行測試必須通過(guò)設計人員和測試工程師的合作才能達到。  

    在SIP中，當有—個(gè)物理隔離的晶粒(die)，提供封裝的連接并不會(huì )降低其訪(fǎng)問(wèn)和控制的獨立性，因此并行測試應用并不會(huì )影響芯片的設計周期。測試工程師只需從設計人員處獲得有限信息的就可以執行并行測試，如果說(shuō)芯片的集成度提高和測試成本降低的需求使得設計人員和測試工程師在項目的早期就必須進(jìn)行高層次的交流，那么，分離內核的并行測試和RFDFT成功應用就需要測試工程師和設計工程師更直接的交流了，只有通過(guò)這樣的交流才能了解：并行測試方法對測試時(shí)間減少帶來(lái)的好處以及產(chǎn)品上市時(shí)間對這些設計修改的要求。  

   在SOC芯片出現之前，測試工程師通常被分配給一個(gè)芯片并且要求負責實(shí)現由設計人員或市場(chǎng)需求定義的所有的測試項目。對于多內核的SOC芯片，通常不期望一個(gè)測試工程師具備測試SOC中所有技術(shù)(如RF，混合信號，數字信號)的能力，更不期望一個(gè)工程師的努力就能夠達到產(chǎn)品面市的時(shí)間?，F在，通常由多個(gè)工程師在一起合作測試一個(gè)芯片，通過(guò)他們不同的測試程序的整合來(lái)應用到*后的晶片或封裝測試中，這種在測試領(lǐng)域新的組織結構使得ATE能夠提供平滑的測試整合。  

   RF內置自檢測試技術(shù)  

   內置自檢測試技術(shù)在數字電路的設計和測試中已經(jīng)使用很多年了，但是在RF電路中應用還是初期。BIST測試的目的是去發(fā)現晶體管級的缺陷，一個(gè)傳統上不為RF測試工程師注意的更細的級別。  

   *近，在RF芯片上實(shí)現BIST的研究已經(jīng)出現。圖1顯示了現代零中, 頻(ZIF)無(wú)線(xiàn)收發(fā)器的架構圖。整合出現在所有的功能模塊，除了功率放大器，雙王器和天線(xiàn)，要么是在同一個(gè)硅片上或在同一個(gè)封裝里 ,在這個(gè)例子中，BIST在基帶上的實(shí)現是通過(guò)模數和數模轉換器之間的回環(huán)測試來(lái)實(shí)現的，傳統上，在RF BIST實(shí)現之前，BIST技術(shù)是首先在基帶部分實(shí)現的。*后，為了執行RF BIST，基帶的DSP用激勵信號發(fā)給射鏈路，然后通過(guò)測試放大器(TA)和接收鏈路回到基帶信號處理器來(lái)進(jìn)行分析。測試放大器在芯片的正常工作時(shí)是關(guān)機的，而且，必須考慮到測試放大器損壞帶來(lái)的影響，在這樣的情況下，必須做出決定是丟棄整個(gè)DUT，還是選擇替代的測試方法重新測試。  

   典型的測試信號是由基帶信號發(fā)生器產(chǎn)生偽隨機序列。典型的BIST算法是產(chǎn)生比特序列，把它進(jìn)行變換以后送給發(fā)射鏈路，然后通過(guò)測試放大器(TA)送到接收鏈路，再變換后送回到基帶處理器，*后得到比特誤碼率(BER)。這種方法的一個(gè)缺點(diǎn)是診斷問(wèn)題能力比較低。例如，導致BER比較差的原因可能有：發(fā)送鏈路和接收鏈路的增益不夠；某個(gè)放大器的非線(xiàn)性失真；某個(gè)RF或混合信號內核的噪聲系數不好。  

測試系統的架構  

   隨著(zhù)把RF部分整合到已經(jīng)具有高速數字電路和混合信號電路的芯片中，單一信號方案的測試系統不再能夠測試這樣的芯片。在市場(chǎng)上，有眾多具有不同功能的測試系統，另外，市場(chǎng)的需求也將使得測試機臺整合度提高，這會(huì )使得只有RF測試功能的機臺消失。在自動(dòng)測試領(lǐng)域，同時(shí)具有模擬、數字和RF測試能力的測試機臺已經(jīng)出現了，就像芯片整合的演化過(guò)程一樣。如圖2所示的測試系統，就是為了迎接市場(chǎng)對測試能力覆蓋廣的需求而出現的，它具有足夠的靈活性以適應不同的市場(chǎng)需求。            

   結論  

   芯片的結構和測試成本下降的要求正在改變著(zhù)測試的方法。在本文中已重點(diǎn)討論了六大現今主要方面的變化。  

   隨著(zhù)技術(shù)能力的提高和市場(chǎng)的需求，把RF整合到SOC(或SIP)中已經(jīng)成為一個(gè)標準，與模擬、高速電路和數字內核的整合一樣，RF的整合使得需要利用RFBIST的優(yōu)勢去進(jìn)一步減少測試成本。  

   在硬件層次上，RF可測性設計(DFT)變得有價(jià)值并且測試現代SOC芯片的ATE設備是那些可以處理多技術(shù)(如RF，混合信號，基帶信號，內存和電源管理)，并且具有*大和*優(yōu)并行測試能力的測試系統。